Optek OPB840L51
$ 3.089
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Descrições
Descrições de Optek OPB840L51 fornecidas pelos seus distribuidores.
OPB840 Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Slotted Optical Switch
Transmissive Photo Interrupter, Phototra; |Tt Electronics/optek Technology OPB840L51
Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output Slotted Opt Switch
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.18mm Slot Width
Photointerrupter Transmissive 3.18mm Phototransistor 4-Pin Bag
890nm Through-Beam 3.18mm Phototransistor PCBinstall，Through hole mounting 23.75mm*12.95mm*10.54mm
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
PHOTO INTERRUPTER, THROUGH BEAM, 3.18MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 3.18mm; Aperture Width: 1.27mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 2V; Forward Voltage: 1.7V; Product
Nomes alternativos do fabricante
Optek possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Optek também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -47.31%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PolarityNPN
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance3.175 mm
Wavelength890 nm
Dimensions
Length23.75 mm
Fichas técnicas e documentos
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