Optek OPB810W51Z
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Tendência de 3 meses: -79.07%
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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OPB811W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
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OPB800W Series 30 V 890 nm 50 mA Phototransistor Wide Gap Slotted Optical Switch
Descrições
Descrições de Optek OPB810W51Z fornecidas pelos seus distribuidores.
OPB810W Series 30 V 890 nm 50 mA 26 AWG Phototransistor Slotted Optical Switch
Fork coupler Dimensions L x W x H: 6.35 x 30.99 x 15.6 mm Gap width: 9.52 mm Operating temperature: -40...80 °C Output collector-emitter voltage: 30 V
Optoswitch, Phototransistor; Sensor Output:Phototransistor; Sensor Mounting:Panel/Chassis; Gap Width:9.53Mm; Aperture Width:1.27Mm; Forward Current If:50Ma; Reverse Voltage Vr:2V; Forward Voltage:1.7V; Dc Collector Current:.625A Rohs Compliant: Yes |Tt Electronics/optek Technology OPB810W51Z
Nomes alternativos do fabricante
Optek possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Optek também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- OPTEK TECHNOLOGY
- TT Electronics/Optek Technology
- OPTEK TECHNOLOGY INC
- OPT
- OPTE
- OPTEK TECH
- OPTEC
- OPTK
- Optek / TT Electronics
- Optek Technology/TT Electronics
- TT Electronics - Optek
- TT Optek
- OPTEK TEC
- OPTEK Technologies
- C- OPTEK
- OPTEK TECHNOLOG
- C-OPTEKTECH
- OPTEK MIL
- OPTEK TECH INC
- Kyocera Optrex
- BEDFORD OPTO TECHNOLOGY LTD
- OPTEK INC
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -79.07%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Housing MaterialPlastic
MaterialPlastic
MountChassis Mount, Screw
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.7 V
Input Current20 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature80 °C
Max Output Current30 mA
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Reverse Voltage (DC)2 V
Sensing Distance9.525 mm
TerminationLead Wire
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Dimensions
Height11.1 mm
Width30.99 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant