onsemi TIL111M
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2002-04-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi TIL111M fornecidas pelos seus distribuidores.
onsemi Transistor output type optocoupler, Through hole mounting, 6needle, MDIPencapsulation
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
Avnet Japan
DIP6 Through Hole Single Channel 30 V 7500 V (Pk) Phototransistor Optocoupler
6-Pin DIP Phototransistor Output Optocoupler
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation
Optocoupler DC Input 1 Channel Trans W/Base DC Output 6-Pin Plastic Dip White
Optocoupler Collector-emitter breakdown voltage: 30 V Operating temperature: -55...100 °C Approvals: UL Package: DIL-6 Input forward current: 60 mA
OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 5.3KV, DIP-6; No. of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:DIP; No. of Pins:6Pins; Forward Current If Max:60mA; Isolation Voltage:5.3kV; CTR Min:50%; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V;
The MOC8100, TIL111 and TIL117 optocouplers consist of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a silicon phototransistor in a 6-pin dual in-line package.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Current Transfer Ratio50 %
Dark Current50 nA
Fall Time10 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.4 V
Isolation Voltage4170 Vrms
Max Input Current60 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output Current per Channel2 mA
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage3 V
Reverse Voltage (DC)3 V
Rise Time10 µs
Schedule B8541408000
Dimensions
Height3.53 mm
Length8.89 mm
Width6.6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
ApprovalsUL
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade