onsemi SMUN5314DW1T1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
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Bipolar Transistors (BJT); MUN5213DW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 50 V; 100 mA
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TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 / Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Descrições
Descrições de onsemi SMUN5314DW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
50 V 100 mA 47kOhms 187mW 1 NPN/1 PNP Pre-Biased Bipolar Transistor-SOT-363
COMPLEMENTARY BIAS RESISTOR TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
250mV@ 300¦ÌA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 385mW 500nA 50Vdc 50V 100mA SOT-363 2mm*1.25mm*900¦Ìm
TRANS, AEC-Q101, NPN/PNP, 50V, SOT-363.; Digital Transistor Polarity: NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resi
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -23.48%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation256 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Schedule B8541210080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade