onsemi SMMBT3904LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SMMBT3904LT1G | 1.680.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SMMBT3904LT1G | 315.000 | 3K | 17h | ||||||||
| Newark | SMMBT3904LT1G | 191.568 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Master Electronics | SMMBT3904LT1G | 66.000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | SMMBT3904LT1G | 66.000 | 3K | Bulk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-02-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMMBT3904LT1G
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, GENERAL PURPOSE, VCEO 40VDC, IC 200MA, PD 225MW, SOT-23
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Diodes Inc.DDTC114ECA-7-F
DDTC114CA Series NPN 50 V 100 mA Digital Transistor Surface Mount - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTC143XCA-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
Diodes Inc.DDTC143TCA-7-F
DDTC143 Series 50 V 100 mA 200 mW NPN Small Signal Transistor - SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi SMMBT3904LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI SMMBT3904LT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); SMMBT3904LT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 900 mA; 3
40V 300mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor
SMMBT Series 40 V 900 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=200mA Vceo=40V hfe=100~300 P=300mW SOT23
TRANSISTOR, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 40V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; T
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade