MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-6.2A; On Resistance, Rds(on):33ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V RoHS Compliant: Yes

Newark

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

SI 4963DY

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses: +0.00%

Modelos CAD

0 modelos disponíveis

Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOIC N

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.2 A

Current7 A

Drain to Source Resistance33 mΩ

Fall Time37 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Power Dissipation2 W

Rise Time11 ns

Turn-Off Delay Time57 ns

Voltage30 V

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi SI4963DY.

IHS

Datasheet6 páginas25 anos atrás

Newark

Conformidade

Classificação ambiental

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás