onsemi SI4532DY
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7316TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descrições
Descrições de onsemi SI4532DY fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N & P-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SOIC-8
Dual N & P Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.9 A
Current Rating3.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance235 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max65 mΩ
Resistance65 MΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade