onsemi SI3442DV
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Tendência de 3 meses: Restocked
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi SI3442DV.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2007-04-06
LTD Date2007-10-06
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP2130LDM-7
20V 3.4A 1.25W 80mΩ@4.5V,4.5A 1.25V@250uA P Channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
Descrições
Descrições de onsemi SI3442DV fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 20V 4.1A 6-Pin SuperSOT
N-Channel 20V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT-6
MOSFET N-CH 20V 4.1A SUPERSOT6
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Current Rating4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Fichas técnicas e documentos
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