onsemi SGL40N150TU
$ 8.033
Obsolete
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IGBT 1200V 188A 1150W TO264 / IGBT 1200 V 188 A 1150 W Through Hole TO-264 (IXYK)
MicrochipAPT35GN120L2DQ2G
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MicrochipAPT50GN120L2DQ2G
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Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-264, RoHS
Descrições
Descrições de onsemi SGL40N150TU fornecidas pelos seus distribuidores.
IGBT 1500V 40A 200W TO264 / IGBT 1500 V 40 A 200 W Through Hole TO-264-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
Trans IGBT Chip N-CH 1.5KV 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
IGBT 1500V 40A 200W TO264
IGBT 1500V 40A HPM F2
MISCELLANEOUS MOSFETS;
IGBTs Dis,IGBT
N-CHANNEL IGBT
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-264-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.5 kV
Collector Emitter Saturation Voltage3.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.5 kV
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time400 ns
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rise Time1 µs
Voltage Rating (DC)1.5 kV
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade