onsemi QRE1113GR
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi QRE1113GR fornecidas pelos seus distribuidores.
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, SMD Gull Wing, 5 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.2 Vf
Photoelectric Sensors; QRE1113GR; ON SEMICONDUCTOR; Surface Mount; 940 nm; 1.87 mm; SMD/SMT
Photointerrupter Reflective Phototransistor 4-Pin Miniature SMT T/R
Diffuse Photoelectric Sensor, 1mm Min, 1mm Max, 1-Channel, Rectangular, Surface Mount
TVS DIODE ARRAY, 2KW, 6V, SOIC - More Details
Infrared Emitter/Sensor Assemblies Reflective Sensor
20mA 1mm SMD-4P Reflective Optical Interrupters ROHS
AS6081 Certified Vendor, 1 Year Warranty
MINI RELECTIVE OBJECT SENSOR 4-PIN SMD
Reflective Photoelectric Switch
DIFFUSE PHOTOELECTRIC SENSOR, 1M
SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
OPTO CPLR, PHOTOTRANSISTOR O/P, SMD-4; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: SMD; Sensing Distance: 5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 5V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Forward Voltage: 1.2
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Weight78 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating20 mA
Dark Current1 nA
Fall Time20 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current50 mA
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current900 µA
Max Operating Temperature85 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation75 mW
Max Supply Voltage1.6 V
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage1.2 V
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage1.7 V
Output TypePhototransistor
Output Voltage20 V
PackagingCut Tape
Power Dissipation75 mW
Response Time20 µs
Reverse Breakdown Voltage5 V
Reverse Voltage (DC)5 V
Rise Time20 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance1 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Height1.6 mm
Length3.4 mm
Width2.9 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade