onsemi PZTA56
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi PZTA56 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS PNP 80V 0.5A SOT223
PZTA56 Series -80 V CE Breakdown -0.5 A PNP General Purpose Amplifier SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
200mV@ 10mA,100mA PNP 1W 4V 100nA 80V 80V 500mA SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
1W 500mA 100@100mA1V 50MHz 250mV@100mA10mA PNP -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Pnp 80V Bjt Sot223 Sngl Rohs Compliant: Yes
PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 73.
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, SOT-223-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100hFE;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-4 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade