onsemi PZTA06
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 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1997-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DSS60601MZ4-13
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descrições
Descrições de onsemi PZTA06 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223 / Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
PZTA06 Series 80 V 1 W 0.5 A Surface Mount NPN General Purpose Amplifier-SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemi NPN Transistor, SOT-223 (SC-73), SMD, 500mA, 80V
Npn 80V Bjt Sot223 Sngl Rohs Compliant: Yes
80V 1W 500mA 100@100mA1V 100MHz 250mV@100mA10mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223-4 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -48.48%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade