onsemi NZT751
$ 0.538
EOL
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Tendência de 3 meses: -21.10%
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-09-29
LTD Date2023-03-29
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi NZT751 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
60V 1.2W 4A PNP SOT-223-4L Bipolar Transistors - BJT ROHS
NZT Series 60 V CE Breakdown 4 A PNP General Purpose Transistor - SOT-223
Trans GP BJT PNP 60V 4A 4-Pin (3+Tab) SOT-223 T/R
500mV@ 200mA,2A PNP 1.2KW 5V 100nA 80V 60V 4A SOT-223-4 6.5mm*350cm*1.8mm
PNP Current Driver Transistor This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 5P.
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Power Dissipation, Pd:1.2W; DC Current Gain Min (hfe):75; Package/Case:SOT-223; C-E Breakdown Voltage:60V; DC Collector Current:4A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -21.10%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency75 MHz
Gain Bandwidth Product75 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency75 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation1.2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade