onsemi NZT605
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2003-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXTN25100DGTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi NZT605 fornecidas pelos seus distribuidores.
NZT Series NPN 1000 mW 110 V 1.5 A Surface Mount Darlington Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 110V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 1W 10V 10nA 140V 110V 1.5A SOT-223-4 6.5mm*3.56mm*1.6mm
TRANSISTOR, NPN, 110V, 1.5A, SOT-223-4; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 110V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 200hFE; Tr
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -22.19%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage110 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)110 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min300
Max Breakdown Voltage110 V
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)11 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.56 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade