onsemi NVR5124PLT1G
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Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NVR5124PLT1G.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de onsemi NVR5124PLT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 60 V 230 mOhm 2.3 nC Surface Mount Power Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
60V 1.1A 230mΩ@10V,3A 470mW P Channel SOT-23(TO-236) MOSFETs ROHS
onsemi Digital Transistor, SOT-23, SMD
MOSFETs; NVR5124PLT1G; ON SEMICONDUCTOR; -60 V; -1.1 A; 20 V; -470 mW
Single P Channel Power MOSFET 60V, 1.1;
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
P-Channel JFET, -60V, -1.1A, 230m¦¸, TO-236
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +112%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance365 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation-470 mW
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time12.2 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade