onsemi NVMFS5C468NT1G
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi NVMFS5C468NT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 35A, 12mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Transistor MOSFET N-CH 40V 35A 5-Pin DFN T/R
Avnet Japan
onsemi N-Channel MOSFET Vds=40V 35A DFN Package SMD 5-Pin
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 12A/35A 5DFN / N-Channel 40 V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, DFN;
MOSFET 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, DFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.5V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.39%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade