onsemi NVMFS5C460NLAFT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi NVMFS5C460NLAFT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 78A, 4.5mΩ Power MOSFET 40V 78A 4.5mOhm Single N-Channel SO-8FL
Trans MOSFET N-CH 40V 21A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
NVMFS Series 40 V 4.5 mOhm 3.6 W Surface Mount N-Channel Power Mosfet - DFN-5
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 40V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN / N-Channel 40 V 21A (Ta), 78A (Tc) 3.6W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 78A, 175度 C, 50W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
MOSFET, N-CH, 40V, 78A, 175DEG C, 50W;
40V 78A 3.7m´Î@10V35A 50W 2V@40uA 22pF@25V N Channel 1.3nF@25V 11nC@4.5V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) DFN-5 MOSFETs ROHS
3.6W(Ta)，50W(Tc) 20V 2V@ 250µA 23nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 4.5mΩ@ 35A,10V 21A，78A 1.3nF@25V SO SMD mount
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -69.66%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)78 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade