onsemi NVMFS5113PLT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
onsemiHUF76437S3ST
155W(Tc) 3V@ 250µA 71nC@ 10V 1individualNChannel 60V 14mΩ@ 71A,10V 2.23pF@25V D2PAK SMD mount
InfineonIRF2807PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
Descrições
Descrições de onsemi NVMFS5113PLT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NVMFS5113PL Series -60 V -64 A 14 mOhm SMT P-Channel Power Mosfet - DFN-5
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN / P-Channel 60 V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
3.8W(Ta)，150W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 83nC@ 10 V 1individualPChannel 60V 14mΩ@ 17A,10V 10A，64A 4.4nF@25V SO-8FL SMD mount 4.9mm*5.9mm*1.05mm
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -60V, -64A, DFN5; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -64A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.0105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -48.17%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max14 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade