onsemi NVF3055L108T1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVF3055L108T1G | 37.000 | 1K | 15h | ||||||||
| Newark | NVF3055L108T1G | 617 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NVF3055L108T1G | 870 | 708 | |||||||||
| Master Electronics | NVF3055L108T1G | 2.940 | 50 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVF3055L108T1G | 2.940 | 50 | Bulk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi NVF3055L108T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Logic Level Power MOSFET 60V, 3A, 120mΩ Automotive Version of the NTF3055L108
NVF3055L108T1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
N-Channel 60 V 120 mOhm 1.3 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.68V; Power Dissipation:2.1W; No. Of Pins:4Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVF3055L108T1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance440 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max120 mΩ
Resistance120 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade