onsemi NVD6495NLT4G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR3410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 34Milliohms;ID 31A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
STMicroelectronicsSTD20NF10T4
N-channel 100 V, 0.038 Ohm typ., 25 A STripFET II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
Descrições
Descrições de onsemi NVD6495NLT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Logic Level Power MOSFET 100V, 25A, 50mΩ Automotive Power MOSFET 100V Logic Level
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK / N-Channel 100 V 25A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
RES SMD 19.6K OHM 1% 1/16W 0402
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance54 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time71 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.024 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max50 mΩ
Rise Time91 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade