onsemi NVD5117PLT4G-VF01
$ 1.338
NRND
Preço e estoque
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Tendência de 3 meses: +40.71%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NVD5117PLT4G-VF01.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi NVD5117PLT4G-VF01 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel Power MOSFET -60V, -61A, 16mΩ
Single P-Channel Power Mosfet -60V, -61A, 16M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVD5117PLT4G-VF01
Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
4.1W(Ta),118W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 85nC@ 10 V 1P 60V 16m¦¸@ 29A,10V 11A,61A 4.8nF@25V DPAK 2.51mm
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V, 61A, 175度 C, 118W;
MOSFET, P-CH, 60V, 61A, 175DEG C, 118W;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +40.71%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation4.1 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade