onsemi NTUD3129PT5G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-03-31
LTD Date2009-09-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiNTUD3171PZT5G
NTUD3171PZ: Small Signal MOSFET 20V 200mA 5 Ohm Dual P-Channel SOT-963 with ESD
Diodes Inc.DMN26D0UDJ-7
Dual Mosfet, N-Ch, 20V, 0.24A, Sot-963 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN26D0UDJ-7
Descrições
Descrições de onsemi NTUD3129PT5G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal MOSFET −20 V, −180 mA, Dual P−Channel,1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) Dual Mosfet Array 12pF @ 15V 140mA 125mW 37ns
125mW 8V 1individualPChannel 20V 5Ω 140mA SOT-963-6 SMD mount，glue mount 1mm*800μm*370μm
Compliant Surface Mount 37 ns Lead Free Tape & Reel (TR) 37 ns 5 Ω SOT-963
140 mA 20 V 2 CHANNEL P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
MOSFETs- Power and Small Signal SMALL SIGNAL MOSFET
Trans MOSFET P-CH 20V 0.14A 6-Pin SOT-963 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.14A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-963
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)140 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance12 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation125 mW
Rds On Max5 Ω
Rise Time37 ns
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height500 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade