onsemi NTTFS4C02NTAG
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Modelos CAD
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0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTTFS4C02NTAG fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N−Channel Power MOSFET 30V, 170A, 2.25mΩ
Transistor MOSFET N-CH 30V 170A 8-Pin WDFN T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS NTTFS4C02N, Vds=30 V, 29 A, WDFN, , 8
Afsm T6 30V Nch U8Fl Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N-CH, 30V, 170A, WDFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 170A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Po
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height850 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade