onsemi NTR3C21NZT3G
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Ficha técnica oficialhá 1 anos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG2305UXQ-7
DMG Series 20 V 5 mOhm SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
InfineonIRLML6402TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.3A; 0.065ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Diodes Inc.DMG2301L-7
Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Descrições
Descrições de onsemi NTR3C21NZT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 20V, 3.6A, 24mΩ
Trans MOSFET N-CH 20V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3 / N-Channel 20 V 3.6A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Mosfet, N-Ch, 20V, 3.6A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTR3C21NZT3G
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -51.56%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation470 mW
Rds On Max24 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time420 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade