onsemi NTNS3190NZT5G
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Obsolete
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NTNS3190NZT5G | 6.556.725 | 22h | |||||||||
| Verical | NTNS3190NZT5G | 117.808 | 1521 | |||||||||
| Flip Electronics | NTNS3190NZT5G | 92.000 | 2d | |||||||||
| Avnet | NTNS3190NZT5G | 0 | 3847 | 1d | ||||||||
| Microchip USA | NTNS3190NZT5G | 307 | 3K | Tray | 16h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Diodes Inc.DMN2990UFZ-7B
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.25A, X2-Dfn0606 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFZ-7B
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Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
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Small Signal MOSFET 20V 280mA 3.4 Ohm Single P-Channel SOT-723 with ESD Protection
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 238mA Tj 238mA 300mW 15ns
Descrições
Descrições de onsemi NTNS3190NZT5G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Mosfet 20V 230 Ma 1.4 Ohm Single N−channel Xllga3/Reel |Onsemi NTNS3190NZT5G
Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin XLLGA T/R
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)230 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance15.8 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation120 mW
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time201 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height430 µm
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