onsemi NTMFS4C10NT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
onsemiNTMFS4925NT3G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 5.6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Diodes Inc.DMG4800LFG-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 7.44A, Dfn3030 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4800LFG-7
Diodes Inc.DMN32D2LFB4-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 0.3A, X2-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN32D2LFB4-7
Descrições
Descrições de onsemi NTMFS4C10NT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTMFS4C10NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 46 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 46A, 6.95mΩ
MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 5-Pin SO-FL EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.00695ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 30V, Dfn-5; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:46A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):0.0058Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:5 |Onsemi NTMFS4C10NT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.37%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.2 A
Drain to Source Resistance6.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance987 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation23.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max6.95 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length6.1 mm
Width5.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade