onsemi NTMFS4899NFT1G
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EOL
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | NTMFS4899NFT1G | 478 | 19h | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | NTMFS4899NFT1G | 0 | 1 | Bulk | 9h | |||||||
| Newark | NTMFS4899NFT1G | 0 | 1500 | Cut Tape | ||||||||
| Farnell | NTMFS4899NFT1G | 0 | 1500 | Tape & Reel | 7h | |||||||
| Win Source | WS-NTMFS4899NFT1G | 19.000 | 60 | 20h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-04-01
LTD Date2022-10-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
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Descrições
Descrições de onsemi NTMFS4899NFT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTMFS4899N: Power MOSFET 30V 75A 5 mOhm Single N-Channel with Integrated Schottky SO-8FL
N-Channel 30 V 5 mOhm 920 mW Surface Mount Power MOSFET - SO-8FL
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 75A, 5mΩ
Mosfet, N Channel, 30V, 75A, So-8Fl; Transistor, Polaridad:Canal N + Schottky; Intensidad Drenador Continua Id:75A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):5Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Onsemi NTMFS4899NFT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max5 mΩ
Resistance5 MΩ
Rise Time20.3 ns
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12.6 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade