onsemi NTLJS3113PT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP2066UFDE-7
Mosfet, P-Ch, 20V, 6.2A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2066UFDE-7
Diodes Inc.DMN2300UFL4-7
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.11A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NexperiaPMZB300XN,315
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de onsemi NTLJS3113PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 20 V 40 mOhm 1.9 W Surface Mount Power MOSFET - DFN-6W
Single P-Channel Power MOSFET -20V -7.7A 40 mΩ
NTLJS3113PT1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.7 A, 20 V, 6-PIN WDFN
700mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 15.7nC@ 4.5 V 1P 20V 40m¦¸@ 3A,4.5V 3.5A 1.329nF@16V DFN 2mm*2mm*750¦Ìm
MOSFETs- Power and Small Signal PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM
3.5 A 20 V 0.05 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Current Rating-7.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.329 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 MΩ
Rise Time17.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade