onsemi NTJD1155LT1G
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTJD1155LT1G | 6.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | NTJD1155LT1G | 7.074 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | NTJD1155LT1G | 18.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | NTJD1155LT1G | 400 | 6h | |||||||||
| DigiKey | NTJD1155LT1GOSCT-ND | 86.363 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Single P-Channel 20 V 0.15 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-70-6 (SOT-363)
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.95A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
onsemiNTJS4405NT1G
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onsemiNVJS4405NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
Descrições
Descrições de onsemi NTJD1155LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual P-Channel High Side Load Switch with Level-Shift Power MOSFET -8V ±1.3A 175mΩ
P-Channel 8 V 130 mOhm 400 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-363
NTJD1155LT1G DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.3 A, 8 V, 6-PIN SC-88
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 8V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NFET SC88 8V HI SIDE SW; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.3A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Diss
P Channel Mosfet, -8V, Sc-88, Full Reel; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:8V; Drain Source Voltage Vds P Channel:8V; Continuous Drain Current Id N Channel:1.3A; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJD1155LT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating630 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)1 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation400 mW
Rds On Max175 mΩ
Resistance130 mΩ
Threshold Voltage1 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade