onsemi NTHD2102PT1G
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NTHD2102PT1G.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-04-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-07-24
LTD Date2012-01-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTHD2102PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET 8V 4.6A 62 mOhm Dual P-Channel ChipFET
DUAL P CHANNEL MOSFET, -8V, 1206A; Trans
Trans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Tran
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 8V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs- Power and Small Signal -8V -4.6A P-Channel
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-8V; Continuous Drain Current, Id:4.6A; On Resistance, Rds(on):62mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:ChipFET ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance715 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NTHD2102PT1G.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Declarações de conformidade