onsemi NTH4L045N065SC1
$ 6.826
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.14%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NTH4L045N065SC1.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi NTH4L045N065SC1 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-03-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTH4L045N065SC1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 650V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
650V 55A 33m´Î@18V25A 187W 2.8V@8mA 14pF@325V N Channel 1.87nF@325V 105nC@-5~18V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4L MOSFETs ROHS
Sic Mosfet, N-Ch, 18V, 55A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:187W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L045N065SC1
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.14%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)22 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation187 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation187 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height25.56 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NTH4L045N065SC1.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade