onsemi NTF5P03T3G

Name: onsemi NTF5P03T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF5P03T3G

P-Channel 30 V 100 mOhm 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223

$ 0.297

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	06R3475	2.868	1		1,150	1,150	0,562	0,562	0,562	7h
Newark	2	NTF5P03T3G	2.768	1	Cut Tape	0,324	0,324	0,324	0,324	0,324
Arrow Electronics	2	NTF5P03T3G	169	1		0,339	0,316	0,257	0,257	0,257
Verical	3	NTF5P03T3G	169	23				0,257	0,257	0,257
Master Electronics		NTF5P03T3G	4.000	100				0,282	0,270	0,239

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Master Electronics

Datasheet7 páginas14 anos atrás

IHS

Upverter

onsemi

Newark

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onsemiNTF5P03T3G

onsemiNTF5P03T3

Price @ 1000

$ 0.297

$ 0.186

Stock

1,148,391

15,964

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223-4

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

3.7 A

Threshold Voltage

-1.75 V

Rds On Max

100 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.13 W

Input Capacitance

950 pF

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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onsemiNVF5P03T3G

Single P-Channel 30 V 100 mOhm 38 nC 1.56 W SMT Power Mosfet - SOT-223

Detalhes

Descrições

Descrições de onsemi NTF5P03T3G fornecidas pelos seus distribuidores.

P-Channel 30 V 100 mOhm 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

NTF5P03T3G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.9 A, 30 V, 3 + TAB-PIN SOT-223

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel Power MOSFET -30V, -5A, 100mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

Semicontronic

PFET SOT223 5.2A 30V TR; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -5.2A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.75V; Power D

Farnell

P Channel Mosfet, -30V, 5.2A, Sot-223, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:3.13W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTF5P03T3G.

Newark

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -5.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 24 / Rise Time ns = 45 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 3.1

Distrelec

Imagens

Rochester Electronics

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

NTF5P03T3G.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageSOT-223-4

Number of Pins4

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.7 A

Current Rating-5.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance100 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time24 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance950 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.56 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation3.13 W

Rds On Max100 mΩ

Resistance100 MΩ

Rise Time45 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1.75 V

Turn-Off Delay Time23 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.65 mm

Length6.7 mm

Width3.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Master Electronics

Datasheet7 páginas14 anos atrás

IHS

Upverter

onsemi

Newark

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement3 páginas5 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás

Rohs StatementN/AN/A