onsemi NTD4979NT4G
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Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-05-06
LTD Date2016-11-07
Peças relacionadas
onsemiNTD4865NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.5A Ta 44A Tc 44A 1.92W 19ns
Descrições
Descrições de onsemi NTD4979NT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.4A Ta 41A Tc 41A 2.56W 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 12.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 41A, TO-252;
30 V, 41 A, Single N−Channel, DPAK/IPAK
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance837 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation26.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.56 W
Rds On Max9 mΩ
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