onsemi NTD4856N-1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
STMicroelectronicsSTD86N3LH5
STD86N3LH5 Series 30 V 0.005 Ohm 80 A N-Channel STripFET H5 Power Mosfet-DPAK-3
Descrições
Descrições de onsemi NTD4856N-1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 13.3A Ta 89A Tc 16.3A 2.14W 7.5ns
Power MOSFET 25V 89A 4.7 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 25V 16.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
13.3 A 25 V 0.0068 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power MOSFET 25V 86A Single N-channel
Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 25V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:16.3A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance6.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.241 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.14 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time22.5 ns
Turn-Off Delay Time27.2 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade