onsemi NTD4813NHT4G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-12-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
onsemiNTD4863N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.2A Ta 49A Tc 8.6A 1.95W 16.5ns
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD18NF03L
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Descrições
Descrições de onsemi NTD4813NHT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 13mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
40 A 30 V 0.0259 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0259ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N Channel Mosfet, 30V, 9A, D-Pak; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:9A; On Resistance Rds(On):0.013Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance940 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation35.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.94 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time16.1 ns
Turn-Off Delay Time17.2 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade