onsemi NTD3055L104-1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLU120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;I-Pak (TO-251AA);PD 48W
onsemiHUF76407D3
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Descrições
Descrições de onsemi NTD3055L104-1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTD3055L104: Power MOSFET 60V 12A 104 mOhm Single N-Channel DPAK Logic Level
NTD Series N-Channel 60 V 104 mOhm 48 W Tab Mount Power MOSFET - TO-252-3
NTD3055L104-1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 60 V, 3-PIN DPAK
Transistor N-MOSFET NTD3055L104-1G, IPAK, ONS /75/
MOSFET, N-CH, 60V, 12A, TO-251-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 5V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating25 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance104 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)15 V
Input Capacitance440 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max104 mΩ
Rise Time104 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade