onsemi NTB30N06G
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Obsolete
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Stock
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650
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
D2PAK
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Continuous Drain Current (ID)
27 A
27 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
42 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
88.2 W
-
Input Capacitance
1.2 nF
-
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55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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onsemiNTB18N06T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 13ns
STMicroelectronicsSTB16NF06LT4
N-channel 60 V, 0.07 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in D2PAK package
Descrições
Descrições de onsemi NTB30N06G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 27A Ta 27A 88.2W 31ns
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 60V 30A
MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88.2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation88.2 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time36 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade