onsemi NST847BDP6T5G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiNST847BPDP6T5G
ON SEMICONDUCTOR - NST847BPDP6T5G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP, 45V, FULL REEL
onsemiNSBC123JDP6T5G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 339mW Surface Mount SOT-963
Descrições
Descrições de onsemi NST847BDP6T5G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
NST847BDP6T5G Series 45 V 100 mA Dual NPN General Purpose Transistor - SOT-963
600mV@ 5mA,100mA 2 NPN (Dual) 420mW 6V 15nA 50V 45V 100mA SOT-963 1mm*800¦Ìm*370¦Ìm
Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN GP TRANS
100 mA 45 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Transistor, Npn, Dual, 45V, Sot-963; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:45V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:100Ma; Continuous Collector Current Pnp:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NST847BDP6T5G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -11.07%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-963-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation420 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation420 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade