onsemi NSS60201LT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi NSS60201LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 60 V, 100 Mhz, 540 Mw, 2 A, 100 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSS60201LT1G
Trans GP BJT NPN 60V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN 60V 2A SOT-23
NSS Series 60 V 2 A Surface Mount Low Vce PNP Transistor - SOT-23
Low VCE(sat) Transistor, NPN, 60 V, 2.0 A, SOT-23 Package
60V 460mW 100@2.0A,2.0V 2A NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS
60V 460mW 150@1A,2V 2A NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN LOW VCE(SAT) XTR
TRANSISTOR, NPN, 60V, 2A, SOT-23-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 540mW; DC Collector Current: 2A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transi
Low VCEsat Bipolar Junction Transistors (BJT) are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCEsat and high current gain capability. These are designed for use in low voltage high speed switching applications where affordable efficient energy control is important.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.68%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation710 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade