onsemi NSS35200CF8T1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NSS35200CF8T1G | 35.724 | 2273 | 19h | ||||||||
| Verical | NSS35200CF8T1G | 236.874 | 698 | |||||||||
| Rochester Electronics | NSS35200CF8T1G | 357.897 | 17h | |||||||||
| DigiKey | NSS35200CF8T1GOSTR-ND | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Flip Electronics | NSS35200CF8T1G | 17.862 | 5d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2023-12-30
LTD Date2024-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
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Descrições
Descrições de onsemi NSS35200CF8T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor, bjt, pnp,35V V(Br)Ceo,2A I(C),llcc Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSS35200CF8T1G
30 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTRN4B6U;
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
300mV@ 20mA,2A PNP 635mW 5V 100nA -55V 35V 2A 1206 3.05mm*1.65mm*1.05mm
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BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
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Trans GP BJT PNP 35V 2A 13500mW 8-Pin Chip FET T/R
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)55 V
Collector Emitter Breakdown Voltage35 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)35 V
Current Rating-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage35 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.75 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-35 V
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade