onsemi NSS1C301ET4G
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi NSS1C301ET4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Junction Transistor Arrays - Bjt; |Onsemi NSS1C301ET4G
3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor
3 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL
Trans GP BJT NPN 100V 3A 2100mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:33W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:80hFE; Transisto
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -91.10%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.39037 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage115 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min80
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency120 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade