onsemi NSS12200LT1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiNSS40200LT1G
40V 460mW 220@500mA,2V 2A PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemiNSS60200LT1G
ON SEMI NSS60200LT1G PNP LOW SATURATION BIPOLAR TRANSISTOR,2 A,60V,3-PIN SOT-23
Descrições
Descrições de onsemi NSS12200LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NSS12200L Series 12 V 2 A 460 mW Low VCE(sat) PNP Transistor - SOT-23-3
12V 460mW 2A PNP SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236
Trans GP BJT PNP 12V 2A 540mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
180mV@ 200mA,2A PNP 540mW 7V 100nA 12V 12V 2A SOT-23-3,TO-236 2.9mm*1.3mm*940¦Ìm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Transistor, Pnp, -12V, -2A, Sot-23; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-12V; Transition Frequency Ft:100Mhz; Power Dissipation Pd:460Mw; Dc Collector Current:-2A; Dc Current Gain Hfe:250Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi NSS12200LT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min150
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation540 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade