onsemi NGTB20N120IHLWG
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiNGTB15N120IHLWG
Igbt Single Transistor, 30 A, 1.8 V, 156 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
onsemiNGTB25N120IHLWG
Igbt Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 Kv, To-247, 3 Rohs Compliant: Yes
InfineonIRG8P25N120KD-EPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Descrições
Descrições de onsemi NGTB20N120IHLWG fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 40A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Tube Through Hole ROHS3Compliant IGBT Transistor 2.2V @ 15V 20A 40A 192W -/235ns
IGBT 1200V 40A 192W TO247-3 / IGBT 1200 V 40 A 192 W Through Hole TO-247-3
IGBT, 1200V, 20A, TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade