onsemi NGTB10N60R2DT4G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NGTB10N60R2DT4G | 11.064 | 425 | |||||||||
| Rochester Electronics | NGTB10N60R2DT4G | 12.354 | 19h | |||||||||
| Flip Electronics | NGTB10N60R2DT4G | 585.000 | >1wk | |||||||||
| Avnet | NGTB10N60R2DT4G | 0 | 1516 | 21h | ||||||||
| Farnell | NGTB10N60R2DT4G | 0 | 1 | Cut Tape | 5h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
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Igbt Single Transistor, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, To-252, 3 |Stmicroelectronics STGD10NC60KDT4
STMicroelectronicsSTGD3HF60HDT4
STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
onsemiISL9V3040D3ST
ISL9V3040D3ST Series 400 V 21 A Surface Mount N-Channel Ignition IGBT - TO-252AA
Descrições
Descrições de onsemi NGTB10N60R2DT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3
72W 1.7V 600V 20A TO-252 2.38mm
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-252-3; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.7V; Power Dissipation Pd: 72W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current20 A
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation72 W
Reverse Recovery Time90 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time48 ns
Dimensions
Height2.51 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade