onsemi NDS7002A
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Vishay2N7002K-T1-GE3
2N7002K Series N-Channel 60 V 2 Ohm 0.6 nC MosFet Surface Mount - SOT-23-3
InfineonBSS138NH6327XTSA2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi NDS7002A fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 2ohm; 300mW; -65+150 deg.C; SMD; SOT23
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 0.28A, 5Ω
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 280 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 300
This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. This product is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)280 mA
Current28 A
Current Rating280 mA
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation300 mW
Rds On Max2 Ω
Resistance2 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage60 V
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.11 mm
Width3.05 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade