Preço e estoque
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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NDS336P.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRLML2402GTRPBF
MOSFET, 20V, 1.2A, 250 MOHM, 2.6 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-23, HALOGEN-FREE
InfineonIRLML2402TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
Descrições
Descrições de onsemi NDS336P fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin SuperSOT T/R
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Package/Case:3-SuperSOT; Drain-Source Breakdown Voltage:-20V; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Current Rating:-1.2A ;RoHS Compliant: No
MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:1.2A; Resistance, Rds On:0.27ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.78V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.5W; Power, Pd:0.5W; SMD Marking:336P; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:20V; Voltage, Vgs th Max:-1V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Current Rating-1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance360 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation460 mW
Rds On Max200 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
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