onsemi NDS335N
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Obsolete
Preço e estoque
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Tendência de 3 meses: -0.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN2230UQ-7
DMN2230UQ Series 20 V 2 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
NXP SemiconductorsPMV65UN,215
MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 / Trans MOSFET N-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Descrições
Descrições de onsemi NDS335N fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Ch MOSFET 20V 110mΩ@1.7A,4.5V 240pF@10V SUPERSOT-3 SMD 2.92mm × 1.4mm × 1.12mm
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.28%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance240 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation460 mW
Rds On Max110 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.12 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade