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Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi NDP603AL.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2005-03-25
LTD Date2005-09-25
Peças relacionadas
InfineonIPP114N03LGHKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP042N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3 N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPP055N03LGXKSA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 N-Channel 30 V 50A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descrições
Descrições de onsemi NDP603AL fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220
50W(Tc) 3V@ 250µA 40nC@ 10V 1individualNChannel 30V 22mΩ@ 25A,10V 1.1pF@15V TO-220-3 Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs N-Channel FET LL Enhancement
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Current Rating25 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height20.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade