onsemi MUN5335DW1T1G
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMUN5233DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
onsemiMUN5235DW1T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Descrições
Descrições de onsemi MUN5335DW1T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
MUN Series 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Brt Transistor, 50V, 47K/2.2Kohm, Sot363; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:2.2Kohm Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5335DW1T1G.
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation385 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation187 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade