onsemi MTD3055V
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-09-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2004-12-31
LTD Date2005-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMP6180SK3-13
P-Channel 60 V 110 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet -TO-252-3 (DPAK)
Descrições
Descrições de onsemi MTD3055V fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts N-Channel DPAK
N-Channel 60 V 150 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - TO-252-3
MOSFET, N, SMD, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:12A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:48W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -28.21%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance500 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max150 mΩ
Resistance150 MΩ
Rise Time60 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade